據(jù)韓媒報道，三星消息人士透露，該公司正準備在新旗艦Galaxy S6上使用下一代NAND Flash存儲卡，這項存儲技術可能會稱為UFS 2.0。
UFS（通用閃存存儲器）能達到SSD類似的轉換速度，不過卻像eMMC存儲芯片一樣生產(chǎn)便宜。事實上，該技術能獲得比eMMC存儲快3倍，轉換速度能達到1.2GB/s。該產(chǎn)品能耗卻比eMMC更低，這使得它不會很耗電或出現(xiàn)過熱的問題。消息人士表示，最近UFS 2.0技術發(fā)展已使得其能耗僅為eMMC 5.0的一半。
Galaxy S6將用下一代UFS存儲卡
該技術標準是在三星、諾基亞和Micron發(fā)起的電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）下建立的，這個組織于2007年建立。東芝和海力士也加入UFS 2.0存儲的研發(fā)。
不過，也不只是三星才有這項計劃，據(jù)稱小米也將在未來產(chǎn)品中使用UFS 2.0 NAND存儲卡。三星今年在中國市場遭到小米激烈挑戰(zhàn)，份額在不斷萎縮。
據(jù)稱，三星將會使用UFS技術逐步取代智能手機中所使用的SD卡和microSD卡。首批使用該技術的產(chǎn)品很可能是明年年初將發(fā)布的Galaxy S6以及之后的Note 5。
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