對于不久前曝光的iPhone 6 Plus128GB機型遭遇頻繁死機的事件，業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為可能與設(shè)備采用的TLC NAND存儲器控制IC的缺陷有關(guān)。雖然蘋果并沒有大舉措回應(yīng)，但實際情況似乎確實存在。日前有報道稱，除了頂配版iPhone 6 Plus之外，iPhone 6 64GB版本機型其實也有部分批次采用了TLC閃存。
根據(jù)外媒Gforgames報道稱，韓國一家媒體Kbench日前將新iPhone中采用的兩類NAND閃存進(jìn)行了測試對比，結(jié)果顯示MLC閃存在整體速度和閑置使用率的性能表現(xiàn)上比TLC更加出色。
Kbench針對MLC和TLC版本iPhone 6 64GB機型進(jìn)行閃存性能寫入測試，分別采用了ZeroFill（全0模式）及RandomFill（100%隨機模式）拷貝資料，進(jìn)行1K、2K逐級遞增至32768K等不同規(guī)格的大小測試，每個文件大小重復(fù)100次，測試結(jié)果令人震驚。
如上圖所示：第一個圖表為全0模式，采用TLC版本機型會針對系統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行動態(tài)快速存取優(yōu)化，當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)行拷貝時會使用系統(tǒng)存儲進(jìn)行暫存，以提升TLC寫入系統(tǒng)的性能，但是當(dāng)數(shù)據(jù)大小超過一定量級后，系統(tǒng)性能會出現(xiàn)嚴(yán)重下降，已經(jīng)開啟的應(yīng)用會出現(xiàn)延遲或閃退情況。
第二個圖表為隨機模式，TLC與MLC的性能差別在此項測試中明顯擴大了，對系統(tǒng)存儲難于對付的零碎文件進(jìn)行實時動態(tài)存儲時，采用TLC閃存的機型寫入性能大幅下降。雖然采用MLC機型的表現(xiàn)也不是很理想，但在處理4K、8K、32K大數(shù)據(jù)包時的表現(xiàn)明顯更優(yōu)于TLC。而在采用MCL版本機型拷進(jìn)行貝時，系統(tǒng)內(nèi)存并沒有針對磁盤進(jìn)行快速存取，不過在數(shù)據(jù)拷貝的過程中整體表現(xiàn)穩(wěn)定平均，不會出現(xiàn)像TLC閃存大起大落的現(xiàn)象，同樣不會出現(xiàn)延遲與閃退現(xiàn)象。
第三個圖表為磁盤使用情況，在右圖的MLC版本中，當(dāng)進(jìn)行拷貝時，磁盤使用率僅有輕微的上升，并不會像左圖的TLC版本一樣突然大量占用系統(tǒng)內(nèi)存（“Inactive”部分），整個拷貝過程非常穩(wěn)定。
綜合如上情況看來，如果你買到的是MLC版本iPhone 6 64GB機型那么可以暗喜了，如果不幸買到TLC版本機型，那么只能怪運氣欠佳了。不過，近期有報道稱，蘋果將會在下一批新設(shè)備中換用MLC閃存，同時也可能會為經(jīng)鑒定存在該硬件問題的設(shè)備提供更換服務(wù)，所以大家還是不用眉頭緊鎖了。
蘋果iPhone6Plus |
蘋果手機 | |||||||||||||||
|
||||||||||||||||
