在智能手機(jī)嚴(yán)重同質(zhì)化的今天，每一項(xiàng)新技術(shù)的出現(xiàn)都讓人們有所期待，從64位到八核，國內(nèi)外芯片設(shè)計(jì)廠商都在想方設(shè)法快速跟進(jìn)，生怕錯(cuò)過了又一個(gè)新市場。在64位和八核均晚于友商的高通，在全新旗艦64位八核驍龍810處理器上，它首次支持了雙通道LPDDR4，內(nèi)存帶寬提升了一倍達(dá)到25.6Gps，功耗有所下降。
在主流旗艦機(jī)均為2K屏幕的今天，對于內(nèi)存帶寬的提高是相當(dāng)必要的，更何況驍龍810支持4K屏幕，堅(jiān)信4K UHD將成為2015年旗艦高端手機(jī)的選擇。
LPDDR4是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)在今年8月正式發(fā)布的新一代低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，主要面向智能手機(jī)、平板機(jī)、超薄筆記本等移動(dòng)類設(shè)備。它的兩個(gè)最大的特點(diǎn)是提升頻率、性能和吞吐能力的同時(shí)降低了功耗。頻率最高可達(dá)4266MHz，是LPDDR3的兩倍。為了達(dá)到如此高的頻率，LPDDR4的架構(gòu)經(jīng)過了重新設(shè)計(jì)，從單通道Die、每通道16bit進(jìn)化到了雙通道Die、每通道16bit，也就是總位寬翻番至32bit。雙通道的設(shè)計(jì)大大減少了數(shù)據(jù)信號(hào)從內(nèi)存陣列到I/O接口的傳輸距離，直接降低了功耗，允許時(shí)鐘、地址總線和數(shù)據(jù)總線組合在一起。
在功耗表現(xiàn)上，LPDDR4的運(yùn)行電壓從上代的1.2V降低至1.1V，并特別設(shè)計(jì)了在超大頻率范圍內(nèi)高效率進(jìn)行，信號(hào)電壓為367mV或者440mW，降低了功耗。JEDEC JC-42.6工作委員會(huì)主席Hung Vuong表示：“LPDDR3只是在LPDDR2基礎(chǔ)上的一次進(jìn)化，LPDDR4的架構(gòu)則是完全不同的?！苯刂褂谀壳?，三星、海力士、美光先后推出了LPDDR4內(nèi)存產(chǎn)品。
韓國媒體Business Korea消息近日指出，高通驍龍810在研發(fā)中出現(xiàn)問題恐怕會(huì)延誤交貨。Tom's Hardware指出，810 處理器過熱可能因?yàn)楦咄▽ortex A57的頻率提升過多，RAM問題或許跟首次支持LPDDR4內(nèi)存有關(guān)。高通官方發(fā)言人今(9)日表示：“我們不會(huì)你所提及的任何謠傳或者推測進(jìn)行評(píng)論，但是我們可以告訴大家的是高通驍龍810正按照既定的目標(biāo)發(fā)售，我們期望能夠在2015年上半年看到搭載該芯片的商業(yè)產(chǎn)品。”
相信隨著高通驍龍810的批量出貨，必將帶動(dòng)一大批旗艦型智能手機(jī)采用最新的LPDDR4內(nèi)存。外媒phones review透露，Galaxy Note 5將搭載2.8GHz的驍龍?zhí)幚砥?10，5.9英寸的4K分辨率Super AMOLED顯示屏，3GB的LPDDR4 RAM，存儲(chǔ)空間為128GB，前置800萬后置2100萬像素的攝像頭，支持OIS和4K視頻拍攝。
DRAMeXchange 11月30日報(bào)告預(yù)估，明年LPDDR4在移動(dòng)DRAM市場的市占率將增至14%。2015年移動(dòng)設(shè)備的主流移動(dòng)內(nèi)存雖為 LPDDR3，但是LPDDR4將成旗艦智能手機(jī)的首選規(guī)格。DRAMeXchange稱，三星將增加LPDDR4供給，今年第四季LPDDR4僅占三星移動(dòng) DRAM供貨的 1%，明年Q4將增至30%。SK海力士供給也會(huì)從今年Q4的1%，明年Q4增至18%。另外美光明年Q1量產(chǎn)LPDDR4，預(yù)計(jì)明年Q4供貨將增至占整體移動(dòng)DRAM的25%。
ETNews對2015年移動(dòng)DRAM的主要產(chǎn)品的市場占有率估算(單位：%)
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