三星已經(jīng)宣布正式開(kāi)始量產(chǎn)14nm FinFET工藝的芯片產(chǎn)品，這款產(chǎn)品基本已經(jīng)確定是三星自家的新一代頂級(jí)移動(dòng)處理器Exynos 7，即將搭載于GALAXY S6上的Exynos 7420。
該處理器和現(xiàn)在的Exynos 5433一樣是四個(gè)Cortex-A57、四個(gè)Cortex-A53 CPU核心，主頻最高2.1GHz，但這一次開(kāi)啟了64位模式，并支持LPDDR4內(nèi)存，從目前看基本能壓制高通驍龍810。
20nm工藝之爭(zhēng)上，三星敗給了臺(tái)積電，尤其是一貫在手的蘋(píng)果A系列處理器代工被硬生生搶走。這一代雙方不約而同地上了FinFET立體晶體管技術(shù)，但工藝世代略有不同，臺(tái)積電是16nm，三星則是14nm。
三星不但在字面上“領(lǐng)先一籌”，實(shí)際進(jìn)展也完爆對(duì)手，并拉上了GlobalFoundries作為合作伙伴共同生產(chǎn)，終于把蘋(píng)果A9(的大部分)給搶了回來(lái)，臺(tái)積電16nm則要到年底才能量產(chǎn)。
三星表示，14nm FinFET達(dá)成了業(yè)內(nèi)最高水平的效率、性能和良品率(Intel 14nm怎么看?)，相比自家20nm HKMG，芯片性能可提升最多20％，功耗可降低最多35％，生產(chǎn)效率可提高最多30％，特別是立體晶體管的加入，克服了平面晶體管在性能、技術(shù)演化方面的局限。
三星還透露，他們?cè)缭诒臼兰o(jì)初就開(kāi)始了立體晶體管技術(shù)的研發(fā)，2003年在國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上發(fā)表了第一篇研究論文，還在2013年將立體堆疊技術(shù)成功用于NAND閃存。
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