最近在亞洲果迷們最沸沸揚揚的議題，非“iPhone6s臺積電與三星A9處理器的效能與續(xù)航力效能差異莫屬。 網友針對臺積電與三星代工的A9處理器做測試 ， 在效能的跑分或是手機的續(xù)航力表現(xiàn)，16納米的臺積電A9處理器明顯贏過14納米的Samsung A9處理器(測試狀況詳見這里 )，雖然蘋果官方已表示不同代工廠出貨的A9芯片都符合Apple標準，根據官方測試實際電池續(xù)航力，兩者差異僅在2-3%之間，不過似乎無法平息亞洲地區(qū)果迷們的疑慮，香港果粉甚至已醞釀?chuàng)Q機或退機風潮。
三星采用的是較新的14納米制程理論上不但在成本上占優(yōu)勢，效能上也會贏過臺積電所使用的則是16納米制程。 不過， 就實際使用的效能實測結果來看， 不管是蘋果官方認證的2-3%之間實際電池續(xù)航力或是網友實測的近兩小時差異， 臺積電所代工A9的處理器勝過三星代工A9處理器卻是不爭的事實。 為何臺積電16納米A9處理器會勝過Samsung 14納米A9處理器?以下整理網路的相關資訊及版主個人見解，供大家參考。
1. FinFET制程是什么?
FinFET(Fin Field-Effect Transistor，鰭式場效電晶體)是新型的多重閘道3D電晶體，是曾任臺積電技術長的柏克萊電機系教授胡正明所發(fā)明。FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管(Field-effecttransistor;FET)的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。
根據三星官方說法，Samsung 14nmFinFET制程在Low Vdd與Less Delay上的表現(xiàn)會優(yōu)于臺積電(TSMC) 20nm Planner。
Samsung 14nmFinFET制程與臺積電16nm FinFET制程相比，三星14nm制程的晶體Die Size較小，相同良率下，成本會較占優(yōu)勢。Ptt網路爆料，臺積電的A9芯片報價大約是22美元，三星的報價則可能低30%~50%，版主則認為三星報價可能低10~20% 。不過，三星的良率因不如臺積電，三星的供應量無法滿足蘋果大量的供給需求，兩家業(yè)者目前對蘋果的供應占比仍在伯仲之間。
2.為何三星的14nm會輸給臺積電16nm?
A。三星半導體制程技術超越臺積電的始末:
三星電子在半導體制程技術，過去曾被臺積電董事長張忠謀稱為「雷達上一個小點」，但三星卻已在2014年12月初，開始量產14nm FinFET技術的芯片，領先臺積電至少半年，震驚整個半導體產業(yè)。三星在半導體制程技術大躍進的關鍵與臺積電研發(fā)部戰(zhàn)將梁孟松離職轉戰(zhàn)南韓三星有密切關系。
梁孟松是加州大學柏克萊分校電機博士，在臺積電的十七年間，戰(zhàn)功彪炳，是臺積電近五百個專利的發(fā)明人，負責或參與臺積電每一世代制程的最先進技術。梁孟松的強項之一正是臺積電與三星激烈競爭的FinFET技術，這與其恩師與博士指導教授，正是FinFET發(fā)明人~胡正明教授有關。由于對于調任「超越摩爾定律計劃」的安排不滿，梁孟松選擇在2009年投奔敵營。原本三星產品技術源自IBM，在粱孟松指導協(xié)助下，三星的45nm、32nm、28nm世代，與臺積電差異快速減少。
根據臺積電委托外部專家制作的一份「臺積電/三 星/IBM產品關鍵制程結構分析比對報告」，三星幾個關鍵制程特征與臺積電極為類似，雙方量產的FinFET產品單純從結構分析可能分不出系來自三星公司或來自臺積電公司。因此，臺積電認定「梁孟松應已泄漏臺積電公司之營業(yè)秘密予三星公司使用」，并提起法律訴訟。二審法院法官同意臺積電的要求，「為了防止泄漏臺積電的營業(yè)秘密」，梁孟松即日起到2015年12月31日止，不得以任職或其他方式為三星提供服務，梁孟松已上訴最高法院。另外一方面，臺積電找回兩度退休的臺積電研發(fā)大阿哥蔣尚義為董事長顧問，目標能讓臺積電7納米做到全世界最領先。
B。三星FinFET的效能與良率為何輸給臺積電:
三星A9處理器不但在效能與電池續(xù)航力輸給臺積電，媒體報導三星與格羅方德合作A9芯片良率僅有30%，遠落后于臺積電。三星電子在網羅臺積電前研發(fā)大將及其部屬下，關鍵制程技術源自于臺積電并領先使用更先進的制程，但為何卻在實際使用的效能與良率輸給臺積電?
相較于臺積電的芯片制程是按部就班由28nm > 20nm Planner > 16nm FinFET演進而來，三星則是由32nm/28nm Planner技術直接跳階到14nm FinFET技術。由于半導體FinFET技術與過去2D平面技術的經驗不同， FinFET無論在制程、設計、IP與電子設計自動化(EDA)工具各方面都必須經過克服眾多挑戰(zhàn)才能成熟，就結果論來看，三星似乎尚未能成熟駕馭FinFET這項新技術，尤其是良率與漏電控制上。三星雖然挖走了臺積電FinFET技術的戰(zhàn)將，但高階主管通常只記得大方向，防漏電及改善良率的苦功則還是要仰賴基層大量、高素質且年輕的肝堆砌而來，這目前仍是臺積電的強項。兩家公司產品的效能的差異，以跑步來舉例，三星雖然速度優(yōu)于臺積電，但跑起來卻老是蛇行，最終還是輸給直行的臺積電。
不過，話雖如此，三星A9的效能仍是通過Apple的認可，不是三星A9的效能不好，而是臺積電做得太好。基于成本的考量與Apple過去的風格，三星仍在A9處理器訂單爭奪上占了上風。雖然臺積電暫時透過法律途徑暫時讓梁孟松無法正式在三星任職，但關鍵人才遭挖角導致原本技術的落差鴻溝被彌平的傷害已經造成，臺積電仍將面臨三星與中國很大的挑戰(zhàn)與嚴酷考驗。臺積電如何善用蔣尚義的指導及過去數十年累積的經驗與基礎盡早讓臺積電7nm做到全世界最領先，將是臺積電擺脫三星纏斗之道。
