這兩年,手機(jī)芯片開(kāi)至標(biāo)榜16/14nm FinFET工藝,現(xiàn)在芯片廠商們爭(zhēng)相蓄力10nm工藝,繼昨天聯(lián)發(fā)科新十核Helio X30曝光將采用10nm工藝后,根據(jù)最新的消息,高通CEO Steve Mollenkopf在接受分析師提問(wèn)時(shí)透露,高通的10nm工藝芯片已經(jīng)定案,同時(shí)開(kāi)始送樣給客戶。
雖然Steve Mollenkopf沒(méi)有透露明年的這款處理器具體是哪款產(chǎn)品,但很早之前就有消息曝光,高通驍龍830處理器將采用10nm工藝,最大可能支持8GB內(nèi)存。此外Steve Mollenkopf還透露,高通2017年的10nm訂單都會(huì)交給三星,不過(guò)也會(huì)繼續(xù)堅(jiān)持多個(gè)來(lái)源的策略,也就是說(shuō),明年三星或?qū)⑷珯?quán)負(fù)責(zé)高通10nm芯片的訂單。
根據(jù)之前曝光的信息,驍龍830將采用10nm FinFET制程工藝和Kyro 200架構(gòu),搭載Adreno 540、X16基帶,據(jù)稱它的下載速度高達(dá)980Mbps,并擁有LPDDR4X內(nèi)存和4K×2K/60fps視頻錄制,將實(shí)現(xiàn)性能和功能的雙提升。至于發(fā)布時(shí)間,那主要取決于客戶產(chǎn)品。目前看明年初是最有可能的,預(yù)計(jì)將于明年MWC展上發(fā)布的三星的Galaxy S8將會(huì)成為驍龍830的首發(fā)機(jī)型。