上個月高通公布了下一代驍龍?zhí)幚砥鳌旪?35，驍龍835預(yù)計將于2017年初發(fā)布，支持最新的Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)，基于三星10nm制造工藝打造。
之前報道了搭載驍龍835的工程機已經(jīng)現(xiàn)身GFXBench跑分網(wǎng)站，數(shù)據(jù)顯示這顆SoC搭載了Adreno 540 GPU，性能非常強大，數(shù)據(jù)顯示驍龍835為八核心設(shè)計，但也許是工程機的緣故，頻率僅為2.2GHz。
今日網(wǎng)上再次曝光了高通驍龍835工程機的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)顯示本次跑分突破了18萬，搭載驍龍835處理器的工程機配置為2K分辨率、4G RAM、安卓7.0，和昨天GFX曝光的一樣，驍龍835為8核心芯片，GPU型號為Adreno 540。
圖片顯示在GPU方面，驍龍835跑分有明顯提升，3D總分超過7萬，總體來看性能較為強悍。不過由于工程機的緣故，和正式版的跑分分數(shù)還會有一定出入。另外，驍龍835還支持前后攝像頭4K視頻錄制，三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機設(shè)備。
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