移動設備如何更快、更薄、更省電呢?芯片必然是關鍵，尤其是芯片的工藝制程，越先進的工藝制程越能夠制造出更小但更強大的芯片。我們已經知道，下一代智能手機芯片，如高通Snapdragon 835，已經開始采用10納米工藝制程了，MTK的千元芯片同樣不例外。那么，10納米之后的7納米呢?對此ARM方面認為，兩年后即可進入7納米時代。
本周一的時候，芯片設計廠商ARM，聲稱正在與臺灣的芯片代工廠商臺積電展開7納米芯片技術的合作，ARM將與合作方共享 7納米芯片設計的知識產權，屆時臺積電將具備設計和生產7納米芯片的能力。ARM營銷副總裁羅恩·摩爾(Ron Moore)表示，預計2018年臺積電將開始提供7納米工藝制程的芯片生產。
根據ARM公布的試驗報告，相比目前臺積電的16納米工藝芯片而言，更先進的7納米芯片將能夠提供15%到20%的性能提升，但智能手機芯片制造商可以調整結構以獲得更好的性能改進指標。
羅恩·摩爾說，基于ARM芯片的和物聯(lián)網設備也將會采用7納米工藝制造。最終，因此芯片制造商能夠基于他們的需求對ARM設計的芯片做出調整。像VR虛擬現(xiàn)實和深度學習這種對芯片性能要求更高的特征，確實給他們在制造工藝方面造成了一定的挑戰(zhàn)，不過可以通過多GPU配置進行優(yōu)化。
羅恩·摩爾還表示，預計在7納米工藝制程正式量產之時，還將包含諸多新技術的發(fā)展，包括EUV技術，可以讓芯片的細節(jié)被蝕刻得更精細，但基于ARM IP設計芯片的廠商不需要對這些技術進行深入了解。
臺積電的競爭對手Globalfoundries也正計劃轉移到7納米工藝制程上，預計在2018年可以量產。三星目前暫時未公開談論7納米工藝的計劃，但更早卻展示過5納米工藝。至于英特爾，之前曾表示7納米會將成一個發(fā)展線路圖上一個重要的節(jié)點，相信會在適當?shù)臅r機公布相關計劃。
7納米之后的下一步是5納米，不過現(xiàn)在談論仍為時尚早。羅恩·摩爾認為，2018年將會是7納米的發(fā)展元年。
