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三星
07月 12

趕超臺(tái)積電 三星計(jì)劃在2018年推出7nm工藝

編輯:匿名 來(lái)源:天極網(wǎng)
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一位三星高管透露,三星的芯片代工業(yè)務(wù)將幫助三星在明年實(shí)現(xiàn)大幅的營(yíng)收增長(zhǎng),同時(shí)三星將在工藝技術(shù)上超過(guò)臺(tái)積電。

Samsung Foundry營(yíng)銷副總裁Sanghyun Lee說(shuō)道:“明年,我們計(jì)劃在營(yíng)收上超過(guò)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。我們認(rèn)為我們的7nm EUV極紫外光刻技術(shù)會(huì)是完整的EUV技術(shù)。當(dāng)我們?cè)诿髂晖瞥鲈摷夹g(shù)的時(shí)候,我們將在生產(chǎn)良率和價(jià)格上超過(guò)他們(臺(tái)積電)。

目前三星提供了10nm芯片技術(shù),使用該技術(shù)的包括三星自家的Exynos 8895芯片和高通的驍龍835新品啊。而在明年上半年,三星計(jì)劃進(jìn)入8nm工藝,下半年進(jìn)入7nm工藝,而且首次使用EUV技術(shù)。而后在2019年,三星會(huì)陸續(xù)進(jìn)入到6nm和5nm工藝。

根據(jù)此前的消息,臺(tái)積電在7nm技術(shù)上將領(lǐng)先于三星,因此高通的下一代芯片生產(chǎn)會(huì)放棄三星,而選擇交由臺(tái)積電負(fù)責(zé)生產(chǎn)。

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