最近在亞洲果迷們最沸沸揚揚的議題，非“iPhone6s臺積電與三星A9處理器的效能與續(xù)航力效能差異莫屬。 網(wǎng)友針對臺積電與三星代工的A9處理器做測試 ， 在效能的跑分或是手機的續(xù)航力表現(xiàn)，16納米的臺積電A9處理器明顯贏過14納米的Samsung A9處理器(測試狀況詳見這里 )，雖然蘋果官方已表示不同代工廠出貨的A9芯片都符合Apple標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)官方測試實際電池續(xù)航力，兩者差異僅在2-3%之間，不過似乎無法平息亞洲地區(qū)果迷們的疑慮，香港果粉甚至已醞釀?chuàng)Q機或退機風(fēng)潮。
三星采用的是較新的14納米制程理論上不但在成本上占優(yōu)勢，效能上也會贏過臺積電所使用的則是16納米制程。 不過， 就實際使用的效能實測結(jié)果來看， 不管是蘋果官方認證的2-3%之間實際電池續(xù)航力或是網(wǎng)友實測的近兩小時差異， 臺積電所代工A9的處理器勝過三星代工A9處理器卻是不爭的事實。 為何臺積電16納米A9處理器會勝過Samsung 14納米A9處理器?以下整理網(wǎng)路的相關(guān)資訊及版主個人見解，供大家參考。
1. FinFET制程是什么?
FinFET(Fin Field-Effect Transistor，鰭式場效電晶體)是新型的多重閘道3D電晶體，是曾任臺積電技術(shù)長的柏克萊電機系教授胡正明所發(fā)明。FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管(Field-effecttransistor;FET)的一項創(chuàng)新設(shè)計。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。這種設(shè)計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。
根據(jù)三星官方說法，Samsung 14nmFinFET制程在Low Vdd與Less Delay上的表現(xiàn)會優(yōu)于臺積電(TSMC) 20nm Planner。
Samsung 14nmFinFET制程與臺積電16nm FinFET制程相比，三星14nm制程的晶體Die Size較小，相同良率下，成本會較占優(yōu)勢。Ptt網(wǎng)路爆料，臺積電的A9芯片報價大約是22美元，三星的報價則可能低30%~50%，版主則認為三星報價可能低10~20% 。不過，三星的良率因不如臺積電，三星的供應(yīng)量無法滿足蘋果大量的供給需求，兩家業(yè)者目前對蘋果的供應(yīng)占比仍在伯仲之間。
