回顧今年的手機旗艦機型，眾多廠商選擇為自家的新一代旗艦產(chǎn)品配備了4GB RAM+128GB ROM內(nèi)存組合的配置，然而歷來走在手機制造業(yè)前端的三星公司貌似不僅僅滿足于此，而是一直致力于研發(fā)更新、更快的UFS 2.0閃存來為用戶帶來更好的使用體驗。
在今年2月份的時候，就有傳聞顯示三星正在制造一款容量高達256GB的UFS 2.0閃存芯片，現(xiàn)在該芯片得詳細(xì)信息已經(jīng)于三星官網(wǎng)正式亮相了，那么或許今年晚些時候發(fā)布的GALAXY Note 6就將搭載該芯片上市了。
從三星官網(wǎng)給出的信息來看，該芯片型號為KLUEG8U1EM-B0B1，封裝尺寸為11.5x13x1.2mm(僅比32GB閃存厚了0.2mm)，MLC采用雙傳輸信道的G3 2Lane規(guī)格，是目前規(guī)格最高的USF 2.0閃存。
